一、研究领域或方向
(1) 低维介观量子体系材料、器件的电磁声光元激发和量子输运理论;
(2) 低维介观量子体系材料、器件的仿真和模拟(ab-initio,micro-magnetic, compact);
(3) 新材料(石墨烯,拓扑绝缘体、MX2,磁性超薄膜等)的埃米生长技术(磁控溅射, ALD,CVD)和物理表征(<1K 低温>60特斯拉高磁场,飞秒激光激发,STM,MFM, FMR);
(4) 5纳米以下量子器件工艺研发;
(5) 量子计算、类脑计算与存储系统设计、优化和应用技术的研究和开发;
(6) 磁性生化医疗microfluidic测试系统的研究和开发。
二、教育工作经历
2015.03-今:304永利集团官网入口 教授。
2013.01-2014.12:欧洲微电子研究中心 IMEC STT-MARAM/自旋电子学项目总监
2002.02-2012.12:美国TDK集团 Headway Technologies 高级主管/总监/首席技术专家/设计与测试
2000.09-2002.02:美国美商威世通股份有限公司 WaveSplitter Technologies Inc. 团队领导/高级工程师
1998.04-2000.09:美国TDK集团 Headway Technologies 产品设计总监/首席技术专家
1996.10-1998.04:美国ReadRite Co. 经理/器件设计和建模
1993.08-1996.10:美国Quantum Recording Head Group 首席工程师/高级硬件工程师
1985.07-1993.07:美国明尼苏达大学电子系博士
1981.09-1985.06:中国科学技术大学物理系学士
三、学术成果介绍
闵泰教授作为首席专家联合北京兆易创新科技股份有限公司、中电海康集团有限公司、福建省电子信息(集团)等行业龙头企业共同承担国家重点研发计划“高密度磁存储材料及集成技术研究”项目,项目总经费7419万元。参与徐宗本院士牵头的鹏城国家实验室“网络通信的数理基础”重大项目,承担该项目课题3“新型矩阵向量乘法存内计算芯片技术”的相关研究任务,课题经费2843余万元。参与国家重点研发计划项目2项,牵头承担陕西省重点研发计划2项,并与华为海思/鸿之微共同进行存储器研究等。在Adv.Mater.、Phys. Rev. Lett.、Nat. Commun.、Nano Lett.、Phys. Rev. B等国际期刊发表学术论文60余篇;拥有70余项美国MRAM核心技术专利,10余项中国专利。担任《中国科学:物理学 力学 天文学》《电子元器件与材料》期刊编委,获得2019年度《中国科学:物理学、力学、天文学》优秀编委。